膜晶體管(Thin-filmtransistors,TFTs)是一類重要的半導體器件，在平板顯示、傳感器等領域具有廣泛的應用價值。最近幾年，寬帶隙氧化物半導體由于其具有低溫成膜、高電子遷移率、可見光透明等優點，在薄膜晶體管領域引起了人們廣泛的研究興趣。由于常規SiO2柵介質電容耦合較弱，當前薄膜晶體管的典型工作電壓一般大于10V，大大限制了其在便攜式領域的應用。研究表明，離子液、離子凝膠（IonG

超低壓雙電層晶體管研究獲進展

發布時間：

2018-07-18 09:20

摘要：

硅制晶體管、半導體的時代即將過去

發布時間：

2018-07-18 09:18

摘要：

生意社12月1日訊　在未來的幾十年里，芯片制造商將不能通過把更小的晶體管集成到一塊芯片上，來制造出速度更快的硅制芯片，因為太小的硅制晶體管容易破裂，同時非常昂貴?！　∪藗冄芯康牟牧舷胍焦?，就需要克服許多挑戰。如今，加州大學伯克利分校的研究人員找到一種方法，可以跨越這個障礙：他們已經開發出一種可靠的方法，可以制造出快速、低功耗的納米級晶體管，所用的是一種化合物半導體材料。他們的方法更簡單，并且肯

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硅制晶體管、半導體的時代即將過去

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